Transistor - Struktur Transistor

        Transistor adalah komponen aktif dengan arus, tegangan atau daya keluaraanya dikendalikan oleh arus masukan. Fungsi transistor di dalam komunikasi biasanya digunakan sebagai penguat untuk memperkuat sinyal. Di dalam untai elektronik, transistor digunakan sebagai saklar elektronis laju tinggi.

        Terdapat dua jenis transistor yaitu BJT (bipolar junction transistor) dan FET (field effect transistor) masing masing mempunyai karakteristik berbeda, pada kesempatan ini akan dibahas transistor bipolar junction transistor (sering disebut transistor saja).

Struktur Transistor

Transistor adalah komponen tiga terminal. ketiga terminal tersebut terdiri dari (B) Basis, (C) Kolektor, (E) Emiter. Ada dua jenis transistor yaitu PNP dan NPN seperti terlihat pada gambar di bawah ini:

gambar 1a

(a) Konstruksi transistor npn dan Simbol transistor npn | JC: sambungan kolektor | JE: sambungan emiter

gambar 1b

(a) Konstruksi transistor pnp dan Simbol transistor pnp | JC: sambungan kolektor | JE: sambungan emiter

Tanda anak panah menunjukan arah aliran arus, bila sambungan emiter-basis JE diberi prasikap maju. bila sambungan tidak diberi prasikap (terbuka) maka arus yang terdapat dapal transistor adalah nol.

* Potensial penghalang pada sambungan adalah Vo (gambar 2a)
* Pada keadaan terbuka pemusatan minoritas adalah konstan. antara (elektron di daerah p) dan (lubang di daerah n)

gambar 2a

(a) Potensial, V | Potensial Penghalang pada transistor terbuka

gambar 2b

(b) Pemusatan minoritas | pemusatan minoritas pada transistor terbuka

Gambar 3a menunjukan transistor diberi prasikap didaerah aktif. sumber tegangan memberi prasikap sambungan emiter-basis dalam arah maju dan sambungan kolektor-basis dalam arah balik.

gambar 3a

(a) Transistor pnp diberi prasikap didaerah aktif

        Perubahan potensial di dalam transistorterlihat pada gambar 3b Terlihat bahwa prasikap maju VEB pada sambungan emiter menurunkan potensial penghalang dari Vo menjadi Vo- |VEB |. sedangkan prasikap balik VCB pada sambungan kolektor menaikan potensial penghalang dari Vo menjadi Vo+ |VCB|
        Dengan turunnya potensial penghalang emiter-basis memungkinkan injeksi minoritas yaitu lubang diinjeksikan ke basis dan elektron diinjeksikan ke daerah emiter. Kelebihan lubang akan berdisfusi ke sambungan kolektor.

gambar 3b

(b) potensial penghalang

gambar 3c

(c) pemusatan pembawa minoritas

        Pada sambungan kolektor Jc medan elektris adalah besar dan positif (E= - dV / dx >> 0), sehingga lubang - lubang dipercepat melewati sambungan dan dikumpulkan kolektor. Berhubungan potensial pada Jc negatif, maka Pn berkurang menjadi nol (bambar 3c). Demikian juga np menjadi nol di Jc.


Source: Thomas Sri Widodo, 2018, Buku Elektronika Dasar. Yogyakarta. h. 47-48.



 

Share This :